ST마이크로일렉트로닉스, 첨단 독점 기술을 활용한 신형 소자로 RF 전력 시장에서 입지 강화

 세계 선도적 종합 반도체사인 ST마이크로일렉트로닉스 (www.st.com)가 정부 통신, 긴급 서비스에 사용되는 사설이동주파수 (private mobile radio)는 물론 L-band 위성 업링크 장비 등과 같이 매우 중요한 애플리케이션의 성능, 강건성, 신뢰성을 증대하는 첨단 기술 기반의 신형 RF (radio-frequency) 전력 트랜지스터를 출시하였다.

보안 및 긴급 서비스 기관들은 물론 상업적인 통신 회사들이 사용하는 무선기지국, 중계기 등과 같은 장비는 고주파수 조건에서 높은 RF 전력 출력을 달성하는 동시에 낮은 왜곡 특성을 제공해야 한다. 이러한 상충된 요구는 복잡한 설계 및 추가 비용을 강요할 수 있다. LDMOS 기술을 통해 설계자들이 이러한 조건을 성공적으로 해결할 수 있음이 검증되었으며, ST는 현재 기술을 한층 더 발전시켜 장비 설계자들이 시스템 성능을 대폭 증대시킬 수 있도록 지원하고 있다.

ST의 RF 프러덕트 마케팅 및 애플리케이션 지원 매니저인 서지 주헬 (Serge Juhel)은 “LDMOS는 강건한 고속 무선 통신을 지원하기 위한 핵심 기술이며, ST의 차세대 RF 전력 트랜지스터는 장비 설계자들이 선형성, 강건성, 신뢰성 등과 같은 중요한 시스템 측정 기준들을 손상시키지 않으면서 RF 전력을 향상시킬 수 있도록 지원한다.”면서 “이번에 출시한 첨단 신제품들은 개인 휴대형 무선, 정부 광대역 통신, 항공 시스템, 위성 업링크 무선 등과 같은 중요 애플리케이션에 이점을 제공한다.”라고 말했다.

LET RF 트랜지스터 제품군은 ST의 최신 STH5P LDMOS 기술을 활용하여 전력 포화 성능을 증대시킴으로써 보다 높은 전력 수준에서도 왜곡을 최소화시킨다. 이 소자는 선형성, 강건성, 신뢰성을 대폭 향상시키면서 최대 2GHz에서 동작할 수 있다. 초기 LDMOS 공정을 사용하는 소자들과 비교하여 효율 또한 10~15% 증가되었다.

뿐만 아니라, 이전 세대보다 3db 높은 이득을 제공하여 증폭기 설계를 단순화시키면서 부품 수를 최소화한다. 추가적으로 강화된 성능으로는 65 V에서 80V로 증가된 항복전압, 신뢰성을 높이는 향상된 온도 성능뿐만 아니라 부하 불일치 성능의 대폭 증대 등이 있다.

LET 제품군에 속한 6개의 디바이스는 현재 양산되고 있으며, 5개 이상의 디바이스가 2011년 4분기에 양산 될 예정이다.

업계 표준 볼트-다운(bolt-down) 또는 이어드(eard) 패키지 스타일로 제공되며, 1000개 공급물량 기준으로 개당 가격은 31달러에서 128.7달러까지이다. 대량주문에 대해서는 별도의 가격 조건이 제공된다.

성형(formed) 또는 스트레이트 리드를 제공하는 원가절감형 Power-SO 10RF 표면 실장 플라스틱 패키지로 제공되는 디바이스는 현재 인증 진행 중이다.

보다 자세한 정보는 www.st.com/rf를 참조하라.