낸드(NAND) 플래시 보다 500배 빠른 비휘발성 MRAM 샘플링 시작

Everspin은 최근 낸드 플래시 (NAND Flash) 대비 500배 높은 성능을 제공하는 MRAM (Magnetorsistive Random Access Memory, 자기 랜덤 액세스 메모리)를 공개했다고 extremetech는 전했다.

Everspin이 공개한 MRAM은 초기 64Mb ST-MRAM의 샘플링이 시작된 것으로 알려졌으며 DDR3 호환 모듈로 알려졌다.

Everspin의 MRAM은 DDR3-1600MHz (3.2GB/s, 1.5V)의 동작 클럭으로 플래시 RAM보다 낮은 액세스 레이턴시를 제공한다고 전했다. 이것은 기존 낸드 플래시 메모리 대비 500배 높은 성능을 의미한다고 언급했다. 기존 MRAM은 자기 필드를 일으켜 데이터를 기록하나 ST-MRAM은 극성 변화를 이용해 데이터를 기록하기 때문에 용량 및 성능 확보에 유리하다.

MRAM은 공개된 차트에 따르면 4KB 쓰기 IOPS가 400,000으로 기존 낸드 플래시의 800 IOPS보다 크게 향상했다. 그러나 기존 낸드 플래시를 1로 보았을 때 50배 높은 GB 당 가격을 형성하고 있으며 5배 높은 전력 (낸드 80mW, MRAM 400mW)을 소모한다. 저장용량면에서도 기존 낸드 플래시보다 불리하다.

MRAM은 기존 낸드 플래시 메모리 대비 양산이나 저장용량 및 전력 소모, 가격 등이 해결되어야 할 문제로 알려졌으나 고성능을 요구하는 HPC나 슈퍼컴퓨팅 분야에 활용될 수 있을 것으로 알려졌다.