소비 전력 낮고 성능 좋은 'DDR4 메모리', 내년에 나온다

DDR3 메모리보다 빠르고 소비 전력이 낮은 'DDR4 메모리'가 내년에 등장할 것이란 소식이 확인됐다.

인텔은 지난 주 중국 베이징에서 열렸던 IDF2013에서 테크니컬 세션으로 DDR4 메모리에 관한 내용을 발표했다. DDR4 메모리는 2012년 9월에 있었던 미국 샌프란시스코에서 발표된 내용을 기본으로 하지만 몇 가지 내용이 새로 공개됐다.

DDR4 메모리는 DDR3L(저전력 DDR3) 메모리보다 소비 전력이 35% 줄고 대역폭은 50% 늘어났다고 소개한 것이다. DDR4 메모리의 소비 전력이 적은 이유는 DDR3 메모리보다 낮은 동작 전압에 있다. DDR3 메모리는 1.5V, DDR3L 메모리는 1.35V를 쓰는데 DDR4 메모리는 이보다 낮은 1.2V를 쓰기 때문이다.

성능 향상과 관계가 깊은 대역폭은 DRAM의 뱅크 수를 늘리는 것으로 가닥을 잡았다. DDR3는 8뱅크 구조로 1.866Gbps로 그치고 있지만 DDR4 메모리는 16뱅크 구조로 3.2Gbps까지 확보했다.

인텔은 내년에 하스웰 후속 제품으로 발표할 브로드웰 프로세서에서 DDR4 메모리를 지원할 것이라며 공식적으로 발표했다. 이는 iSuppli가 예측한 자료에서도 확인할 수 있다. 올해 말부터 DDR4 메모리의 엔지니어링 샘플이 나오다가 내년에는 24%, 2015년엔 절반에 가까운 45%의 비율을 차지할 것으로 예상햇다. 인텔은 2015년에 지금의 DDR3 메모리를 DDR4로 대체할 계획이란 내용도 밝혔다.