인텔의 하스웰 GT3e에 내장된 eDRAM의 제조 비용이 50달러를
웃도는 것으로 확인됐다.
관련 내용을 보도한 아난테크에 따르면, 하스웰 GT3e에 eDRAM(L4)를
추가한 대가로 50달러의 비용이 추가될 것이라 전했다. 내장된 eDRAM의 면적은 약
70-80mm2로 128MB 용량에 512비트의 메모리 버스가 구성될 것으로 분석했다.
시스템 소모 전력을 낮추면서 기존의 하스웰 GT3보다 나온 그래픽
성능을 낼 수 있기에 22nm 제조 기술에 대한 프리미엄을 붙인 것으로 보인다. 실제
하스웰 GT3e는 엔비디아의 GT 650M을 경쟁 대상으로 삼고 있어 그래픽 성능에 기대를
안고 있다.
하스웰 GT3e는 40개의 통합 유닛과 3D 트랜지스터 기술, MIMCAP
패키지, 임베디드용 고성능 메모리를 함꼐 구성한 SoC(System on Chip)형태로, 소형
플랫폼으로 고성능을 요구하는 주요 IT기기에 보급될 것으로 예상된다.