인피니언 CoolMOS MOSFET, 하드 스위칭 토폴로지의 효율 크게 향상

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 TO 247-4핀 패키지를 제공한다고 밝혔다. 이 패키지는 네 번째 핀을 추가해서 캘빈(Kelvin) 소스로 동작하도록 함으로써 전력 MOSFET의 소스 리드 기생 인덕턴스를 효과적으로 낮춘다. 그럼으로써 CCM PFC(continuous conduction mode power factor correction), 부스트, TTF(two transistor forward) 등 다양한 하드 스위칭 토폴로지에서 효율을 크게 향상시킨다.

신형 패키지는 스위칭 손실을 최대 8%까지 낮추어 효율을 향상시킨다. 이것은 다시 말해서 MOSFET이 CCM PFC에서 1.2KW로 동작할 때 전력 손실이 5W 감소하여, 표준 3핀 TO 247 패키지의 동일한 MOSFET 대비 최대 부하 효율이 0.4% 향상된다는 뜻이다. 신형 TO 247-4핀 패키지는 현재 인피니언과 ST마이크로일렉트로닉스 (STMicroelectronics) 두 회사에서 제공하고 있으며, 따라서 고객들은 고품질의 대체 공급원을 확보할 수 있다.

인피니언 테크놀로지스의 고전압 전력 변환 제품 사업부문을 총괄하고 있는 얀-빌헬름 레이나에르트(Jan-Willem Reynaerts)씨는 “인피니언이 제공하는 최신 세대의 초접합 MOSFET인 CoolMOS C7은 수백 볼트 및 수십 암페어를 수 나노초 이내에 스위칭할 수 있다. 패키지는 칩 기술이 제공하는 가능성을 최대한 활용하고 적절한 시스템 환경을 조성하기 위해서 중요한 요소로 한 차원 향상된 에너지 효율 달성을 위한 필수 요인이다. 현재 인피니언과 ST마이크로일렉트로닉스 두 회사만 고전압 MOSFET을 위한 신형 TO 247-4핀 패키지를 제공하고 있으며 에너지 효율의 새로운 기준을 정립하고 있다.”고 말했다.

TO 247-4핀 패키지의 캘빈 소스 구성의 또 다른 이점으로서 드레인을 노출시키고 소스가 게이트와 드레인 사이에 있는 새로운 핀 구조에 의해서 PCB 레이아웃을 수월하게 한다. 그럼으로써 중대한 문제로서 흔히 높은 dv/dt 비율의 드레인-소스 전압(VDS)으로 턴오프 시에 게이트 발진을 일으키는 드레인-대-게이트 결합을 낮출 수 있다. 뿐만 아니라 드레인과 소스 사이의 연면 거리를 늘림으로써 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 신형 패키지는 서버, 통신, 태양광 등 고전력 애플리케이션에 최적화되었다.

CoolMOS C7은 인피니언의 최신세대의 초접합 전력 트랜지스터 제품으로서 TO 247-4핀 패키지로 제공되는 첫 번째 MOSFET 제품군이다.

TO 247-4 패키지의 샘플을 현재 제공하고 있으며 양산은 2013년 3분기에 시작할 예정이다. 인피니언의 신형 TO 247-4 패키지에 관한 더 자세한 내용은 www.infineon.com/c7에서 볼 수 있다.