9일 IBM이 세계 최초 10나노미터(nm) 공정을 깬 7나노 반도체 칩 시제품을 공개했다.
IBM이 개발한 7나노 칩은 삼성전자의 14나노 공정보다 두 세대, 내년에 인텔,
TSMC에서 상용화할 10나노 공정보다 한 세대 앞선 차차기 반도체 공정이다.
이론적으로 14나노 공정에서 생산된 칩의 4배에 달하는 200억 개의 실리콘게르마늄(SiGe)
트랜지스터를 집적할 수 있으며 회로 구성 면적은 10나노 공정보다 절반에 불과하다.
IBM은 지난 2014년 적자에 허덕이던 반도체 사업부를 파운드리 업체인 글로벌파운드리즈(GF)에
매각한 이후 향후 5년 동안 30억 달러 규모를 반도체 분야에 투자하겠다고 밝힌 바
있다. 이번 7나노 칩 개발은 IBM이 작년에 발표한 반도체 투자 계획의 일부다
다만, IBM은 7나노 공정의 구체적인 상용화 일정을 공개하지 않았다.
한편, 인텔은 내년부터 10나노 공정의 제품을 양산할 계획이며 세계 최대 파운드리
업체인 TSMC는 내년에 10나노 공정을, 2017년에는 7나노 공정 제품을 생산할 계획이다.