
11일 삼성전자가 세계 최초로 기존 2세대(32단) 128기가비트(Gb)
낸드보다 용량을 2배 향상시킨 ‘256기가비트 3차원 V낸드’ 양산에 성공했다고 밝혔다.
‘256기가비트 V낸드’는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는
32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다. 또한 기존 128기가비트 낸드가
적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 ‘테라 SSD 대중화’를
위한 최적의 솔루션을 제공한다.
이번에 양산을 시작한 3세대 V낸드는 ‘셀(Cell)’이 형성될
단층을 48단으로 쌓고 나서 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억개
이상의 셀을 고속 동작시키며, 각 ‘셀(Cell)’마다 3개의 데이터 (3비트)를 저장할
수 있어 총 2,560억개의 데이터를 읽고 쓴다.
특히 ‘3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조’와
‘48단 수직 적층 공정’, ‘3비트 저장기술’을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를
더욱 빠르게 저장하고, 소비 전력량을 30% 이상 줄였다. 또한 기존 32단 양산 설비를
최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40%나 높여 원가 경쟁력도 대폭 강화했다.
삼성전자 측은 "이번 256기가비트 V낸드는 쓰기 성능과
절전 효과를 동시에 높여 글로벌 고객들이 효율적인 차세대 대규모 스토리지 시스템을
구축하는데 크게 기여할 것"으로 기대했다.
삼성전자는 지난 달 2테라바이트(TB) SSD 제품 출시를 계기로
본격 추진하고 있는 ‘테라 SSD 대중화’를 더욱 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산을
위한 투자를 계획대로 추진해 나갈 예정이다.