삼성전자, EUV 적용한 14나노 D램 양산.. 소비전력 20% ↑

12일 삼성전자가 극자외선(EUV) 장비를 적용한 14나노(1나노=10억 분의 1미터) D램 양산을 발표했다. EUV 장비로 양산된 이 제품은 이전 세대보다 생산성과 소비전력이 20% 개선된 것이 특징이다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2기가비피에스(Gbps)의 속도로 전 세대인 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다.

최근 인공지능(AI), 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속적으로 커지고 있다.

특히 인텔은 올해 4분기 컴퓨터(PC), 내년 1분기 서버에 DDR5 D램을 지원하는 신규 중앙처리장치(CPU)를 선보이면서 반도체 업계에선 교체수요에 대한 기대가 높아지고 있다.

삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에 공급한 바 있다. 이번 14나노 D램의 경우 업계에서 유일하게 5개의 공정에 EUV 장비를 적용하면서 차별화된 기술력을 선보였다.

경쟁사인 미국의 마이크론은 아직 D램 생산 과정에 EUV 장비를 적용하지 못한 상태이며 SK하이닉스의 경우엔 1개의 공정에 EUV를 활용한 것으로 알려졌다.