
20일 SK하이닉스가 업계 최초 ‘HBM3’ D램을 개발했다고 밝혔다.
SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2 D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에
HBM3 개발에 성공했다.
HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로 여러 개의 D램을 수직으로
연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능
제품이다.
속도 측면에서 HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할
수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는
수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.
이와 함께 이 제품에는 오류정정코드(On Die - Error Correction
Code)가 내장돼 있다. HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를
스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성도 크게 높아졌다.
이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다.
특히 24GB는 업계 최대 용량이다. SK하이닉스는 "24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스
기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m)
높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결했다"고 밝혔다.
앞으로 HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의
완성도를 높이는 머신러닝(Machine Learning)과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는
슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다.