삼성전자, GAA 기반 3나노 시험 생산.. 비트코인 ASIC으로 첫 공급

삼성전자가 이번 주 파운드리 업계 최초 3나노(nm) 공정 시험 생산을 시작할 것이라고 삼성전자 소식을 전하는 샘모바일이 28일(현지시간) 보도했다.

삼성전자 3나노 공정은 차세대 GAA(Gate-All-Around)를 기반으로 한다. GAA 기반 3나노 공정은 삼성이 사용한 핀펫(FinFET) 기반 5나노 공정 대비 칩 면적은 35% 감소하고 성능은 30%, 전력 소비는 50% 개선된다.

삼성의 3나노 공정은 시험 생산 수준으로 비트코인 채굴용 반도체(ASIC) 팹리스에 가장 먼저 제공될 것으로 알려졌다. 퀄컴이 삼성의 3나노 고객이 될 가능성도 배제할 수 없다.

퀄컴은 삼성의 낮은 4나노 수율로 스냅드래곤 8+ 1세대 위탁 생산을 TSMC로 옮긴 상태. 내년에도 TSMC에서 위탁생산할 것으로 예상되지만 삼성은 퀄컴이 필요할 때 언제든지 3나노 제조 공정을 제공하기로 합의한 것으로 알려졌다.

한편, 파운드리 업계 1위인 대만 TSMC는 3나노까지 기존 핀펫 방식을 사용하고 2나노 공정부터 GAA를 적용할 예정이다. 삼성전자는 내년 3나노 2세대 제품을, 2025년에는 2나노 제품을 양산하겠다는 계획이다.