삼성파운드리, GAA 기반 3나노 비트코인 마이닝 칩셋 전력효율 최대 45% ↑

삼성파운드리가 게이트올어라운드(GAA) 기반 3나노(nm) 공정으로 생산 중인 비트코인 마이닝 칩셋의 전력 효율이 5나노 공정 대비 최대 45% 향상된 것으로 알려졌다.

삼성파운드리는 지난달 말부터 3나노 칩 생산 라인 가동을 시작했다. 삼성의 3나노 공정은 시험 생산 수준으로 비트코인 채굴용 반도체(ASIC) 팹리스에 가장 먼저 제공될 것으로 알려졌다.

보고서에 따르면 삼성은 지난해 말 지멘스, 안시스, 시놉시스 등 일부 자회사와 협력해 칩 작업을 시작했다. 삼성의 새로운 3나노 기반 마이닝 칩셋은 이전 노드에서 제조된 칩셋보다 성능은 최대 23%, 전력 효율은 최대 45% 개선된 것으로 알려졌다.

현재 유통 중인 최고의 채굴기는 올해 초에 생산된 Antminer S19X로 5나노 칩으로 구동된다. 삼성의 새로운 3나노 마이닝 칩은 채굴과 관련된 탄소 배출량 감소에도 많은 도움을 줄 것으로 외신은 내다봤다.

한편, 삼성전자는 오는 25일 삼성전자 화성 사업장에서 파운드리 3나노 공정 제품 출하식을 열 계획이다. 또한, 2025년 말까지 2나노 칩셋도 제조할 계획이다.