ST마이크로일렉트로닉스 X 소이텍, SiC 기판 제조 기술 위한 협력 발표

반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)와 소이텍(Soitec - Euronext Paris)이 SiC 기판 생산을 위한 양사 협력의 다음 단계를 발표했다.

향후 18개월에 걸쳐 ST는 소이텍의 기판 기술에 대한 적격 평가를 진행할 예정이다. 이번 협력의 목표는 향후 200mm SiC 기판 제조에 ST가 소이텍의 SmartSiC 기술을 채택함으로써 디바이스 및 모듈 제조 비지니스에 기판을 공급하는 것이며, 그 가운데 대량 생산이 이루어질 것으로 예상된다.

실리콘 카바이드(SiC)는 혁신적인 복합 반도체 소재로, 전기 모빌리티와 산업 공정 분야의 주요 고성장 전력 애플리케이션에서 그 본질적 특성으로 인해 실리콘보다 탁월한 성능과 효율성을 제공한다. 덕분에 보다 효율적인 전력 변환, 더 경량의 소형 설계, 전체 시스템 설계 비용 절감 등이 가능해졌고, 이는 모두 자동차 및 산업용 시스템의 성공을 가르는 핵심 파라미터이자 요인이다. 150mm 웨이퍼에서 200mm 웨이퍼로 전환하면 집적 회로 제조에 사용 가능한 영역이 거의 두 배로 증가하면서 작동 칩의 수가 1.8~1.9배 많아지므로 가용량을 크게 증가시킬 수 있다.

SmartSiC는 소이텍의 독점 기술인 SmartCut 기술로 가능하며, 고품질 SiC 도너 웨이퍼의 얇은 층을 분할해 저항이 낮은 핸들 polySiC 웨이퍼 위에 결합할 수 있는 소이텍의 독점 기술이다. 이렇게 제조된 기판은 장치 성능과 제조 수율을 높여준다. 최고 품질을 자랑하는 SiC 도너 웨이퍼는 여러 번 재사용이 가능하므로 생산에 드는 전체 에너지 소비를 크게 줄일 수 있다.