ACM 리서치, Ultra C bev-p 베벨 에칭 장비 출시

Ultra C bev-p 장비는 FOPLP 공정의 핵심 요소이며, 베벨 에칭 및 구리 잔류물 제거를 위해 특별히 설계된 습식 에칭 기술을 활용한다. 이 공정은 전기적 단락을 방지하고, 오염 위험을 최소화하며, 후속 처리 단계의 무결성을 유지하여 디바이스의 장기적인 신뢰성을 보장하는 데 있어서 매우 중요하다. 이 장비의 효율성의 핵심은 정사각형 패널 기판의 고유한 문제를 해결하는 ACM의 특허 기술이다.

기존의 원형 웨이퍼와 달리, ACM의 혁신적인 설계는 휘어진 패널에서도 베벨 영역에 국한된 정밀한 베벨 제거 공정을 보장한다. 이러한 기술적 진보는 에칭 공정의 무결성을 유지하고 첨단 반도체 기술이 요구하는 높은 성능과 신뢰성을 달성하는 데 필수적이다.

Ultra C bev-p 장비는 패널 기판용으로 특별히 설계되어 유기 재료, 유리 재료 및 본딩 패널과의 호환성을 제공한다. 패널의 앞면과 뒷면을 모두 효율적으로 처리하며, 0.5 밀리미터에서 3 밀리미터 두께의 510 x 515 밀리미터 및 600 x 600 밀리미터 패널을 처리할 수 있다. 이 장비는 최대 10 밀리미터까지의 패널 휨을 처리할 수 있어 최적의 공정 조건을 보장한다.

첨단 패널 처리: 안전하고 정밀한 패널 취급 및 이송을 위한 단일 로봇이 장착되어 있다.

효율적인 구리 제거: 탈이온수(DI), 황산, 과산화수소의 혼합물인 희석된 황산 및 과산화수소(DSP)를 사용하여 구리를 효과적으로 제거한다. 또한 헹굼용 탈이온수와 최종 건조용 N2를 포함하고 있어 표면을 깨끗하고 건조하게 유지한다.

높은 처리량: 최대 6개의 처리 챔버를 작동할 수 있는 Ultra C bev-p는 시간당 40패널(PPH)을 처리할 수 있어 대량 생산에 매우 효율적이다.

이 시스템은 0.2 밀리미터의 베벨 제어 정확도와 0 ~ 20 밀리미터의 독보적인 제어 범위를 제공한다. 또한 평균 무고장 시간(MTBF) 500시간, 가동 시간 95%로 설계되어 탁월한 신뢰성과 일관된 성능, 운영 효율성을 보장한다.