ST마이크로일렉트로닉스, Page EEPROM 2-in-1 듀얼 메모리 출시

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 EEPROM의 전력 효율성 및 내구성과 플래시 메모리의 용량 및 속도를 결합한 하이브리드 메모리 Page EEPROM을 출시해, 크기 및 전력 제약이 있는 애플리케이션을 지원한다고 밝혔다.

새로운 Page EEPROM은 점점 더 정교해지는 기능을 지원하고, 데이터 집약적인 엣지 AI 알고리즘을 실행하기 위해 필요한 임베디드 애플리케이션의 증가하는 스토리지 요구를 충족한다. 예를 들어, 귀걸이형 보청기에서는 Page EEPROM을 사용해 자재비를 절감하고 더욱 슬림하면서도 편안한 제품을 만들 수 있다.

ST의 Page EEPROM 제품군은 표준 EEPROM 디바이스에 비해 저장용량이 크게 증가하여 8Mbit, 16Mbit, 32Mbit의 밀도를 제공한다. 내장된 스마트 페이지 관리 기능을 통해 데이터 로깅과 같은 프로세스에서 바이트 단위의 쓰기 동작이 가능하며, 페이지/섹터/블록 단위의 지우기와 함께 최대 512byte의 페이지 프로그램 기능을 지원해 펌웨어 무선(OTA) 업데이트를 효율적으로 처리한다. 또한, 이 디바이스들은 버퍼 로딩이 가능해 여러 페이지를 동시에 프로그래밍하여 생산 시 소프트웨어 로딩 시간을 단축한다. 데이터 읽기 속도는 표준 EEPROM보다 약 16배 빠른 320Mbit/s이며, 쓰기 사이클 내구성은 기존 시리얼 플래시보다 몇 배 더 높은 50만회에 이른다.

또한 Page EEPROM은 새로운 피크 전류 제어 기능을 갖춰 전원 공급 노이즈를 최소화하고 배터리로 작동하는 장비의 사용 시간을 연장한다. 쓰기 전류는 대부분의 일반적인 EERPOM보다 낮으며, 고속 웨이크업 기능이 있는 딥 파워-다운(Deep Power-Down) 모드를 통해 전류를 1µA 미만으로 줄일 수 있다.