갤럭시Z 플립6
삼성전자가 마침내 게이트올어라운드(GAA) 기반 2세대 3나노
수율(생산품 대비 정상품 비율)을 안정화하는 데 성공한 것으로 알려졌다.
11일(현지시간) 복수의 외신은 삼성전자가 2025년 하반기 출시될
차기 ▲갤럭시Z 플립7 ▲갤럭시Z 플립7 FE(팬에디션) 모델에 3나노 엑시노스 2500(가칭)
칩셋을 탑재할 계획이라고 보도했다.
삼성은 당초 갤럭시S25 시리즈 일부 모델에 엑시노스 2500 칩셋을
탑재할 계획이었으나, 저조한 수율 문제로 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 칩을 사용하기로
가닥을 잡은 것으로 알려졌다.
삼성파운드리의 2세대 3나노 공정 수율이 20~40% 수준에 불과하다는
주장도 제기됐으나 최신 보고서에 따르면 2세대 3나노 수율이 안정화되면서 대량
생산을 준비 중인 것으로 전해졌다.
일반적으로 파운드리가 주어진 공정 노드에서 칩을 대량 생산하려면
70% 이상의 수율이 필요하다. 보고서가 정확하다면 삼성은 2세대 3나노 수율을 최소
60% 이상으로 끌어올린 것으로 보인다.
한편, 세계 최대 파운드리 업체 TSMC의 최첨단 2나노(nm) 공정
시험생산 수율은 벌써 양산 수준에 육박한 것으로 전해졌다. 최근 대만 매체들은
"TSMC의 2나노 공정 제품의 시험생산 수율이 60%를 넘어섰다"면서 "2025년
본격적으로 양산을 시작할 예정"이라고 보도했다.