출처: 긱벤치
삼성전자 갤럭시S25 시리즈에 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트
칩 전량 탑재가 확인됐다.
긱벤치 데이터베이스에 따르면 지난달 31일 긱벤치에서는 SM-S931B
모델 번호를 사용하는 갤럭시S25 모델이 발견됐다. 모델 번호 끝에 붙은 "B"는
글로벌 버전을 의미한다.
갤럭시S25 글로벌 모델은 스냅드래곤 8 엘리트 칩셋으로 구동되며
12GB 램을 탑재한 것으로 확인된다. 스냅드래곤 기반 갤럭시S25 글로벌 모델이 긱벤치에서
발견된 것은 이번이 처음이다.
앞서 스냅드래곤 8 엘리트 칩셋으로 구동되는 갤럭시S25 한국,
미국 모델이 발견된 바 있다. 또, 삼성이 갤럭시 S 기본 모델에 12GB 램을 탑재하는
것은 갤럭시S20 이후 5년 만이다.
초기 보고서에서는 갤럭시S25 시리즈 일부 모델에 3나노 엑시노스
2500 칩이 사용될 것으로 예상됐으나, 수율 문제로 스냅드래곤 8 엘리트 칩셋을 전량
사용하기로 계획을 변경한 것으로 전해졌다.
스냅드래곤 8 엘리트 칩셋은 대만 TSMC의 2세대 3나노(nm) 공정으로
제조된다. 4.32GHz 클럭의 프라임 코어 2개, 최대 3.53GHz 클럭의 성능 코어 6개로
구성된 커스텀 옥타코어 칩셋으로 싱글 코어와 멀티 코어 성능이 각각 45%, 웹 브라우징
성능은 62% 향상된 것이 특징이다.
전력 효율도 개선되면서 CPU는 45%, GPU 전력은 40% 개선됐고,
AI 전력 효율은 45% 향상됐다. 다만, 엑시노스 칩셋보다 가격이 비싼만큼 갤럭시S25
시리즈의 출고가 인상도 점쳐진다.
보고서에 따르면 삼성은 내달 22일 미국 산호세에서 갤럭시 언팩을
열고 갤럭시S25 시리즈를 공개할 예정이다.