화웨이, 5나노 넘어 3나노 칩 개발 성공할까?

출처: 화웨이

 5나노(nm) 칩 개발에 성공한 화웨이가 3나노 칩 개발도 시작한 것으로 알려졌다.

대만 경제일보는 화웨이 내부 소식통을 인용해 "화웨이가 게이트 올 어라운드(GAA) 기술과 2차원 재료를 사용해 3나노 칩 개발을 시작했으며, 2026년 테이프아웃할 것으로 예상된다"고 보도했다.

화웨이는 미국의 반도체 제재로 극자외선(EUV) 노광 장비 반입이 불가능한 상황이지만 중국 SMEE(Shanghai Micro Electronics Equipment)에서 개발한 반도체 노광 장비인 'SSA800 시리즈 스텝 앤 스캔' 리소그래피 장비를 사용하여 5나노 칩 '기린 X90' 개발에 성공한 것으로 알려졌다.

화웨이 5나노 칩은 실제 공정 기술은 7나노에 해당되지만, 칩렛 설계 및 고급 패키징 기술을 통합해 성능 도약을 달성한 것으로 분석된다. 다만, EUV 리소그래피 지원 부족으로 수율은 50% 수준에 불과한 것으로 전해졌다.

화웨이의 3나노 칩 개발은 두 가지 접근 방식으로 진행되고 있다. 하나는 TSMC와 삼성처럼 표준 아키텍처인 GAA(게이트 올 어라운드) 기술을 활용하는 방식이며, 다른 하나는 실험실 검증을 마치고 현재 SMIC 생산 라인에 적용 중인 탄소 나노튜브 기반 칩이다.

한편, 테이프 아웃은 칩 설계가 최종 확정되어 대량 생산 공정에 투입되는 단계를 의미한다. 이 과정이 순조롭게 진행된다면, 화웨이는 이르면 2026년부터 3나노 칩 양산에 돌입할 수 있을 것으로 보인다.