
출처: 삼성
삼성전자가 이르면 다음 달부터 엔비디아와 AMD에 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를
공급할 것이란 관측이 제기됐다.
26일 외신 및 업계에 따르면 삼성전자는 최근 엔비디아와 AMD가 진행한 HBM4 최종
품질 검증을 통과한 것으로 전해졌다. 이에 따라 삼성전자는 다음 달 본격 출하를
목표로 양산 준비에 착수한 것으로 알려졌다.
특히 이번 HBM4는 엔비디아가 요구한 사양인 10Gb/s를 상회하는 초당 11.7Gb(기가비트)의
전송 속도를 구현한 것으로 전해졌다. 해당 제품은 올 하반기 출시가 예상되는 차세대
AI 가속기인 엔비디아 ‘루빈(Rubin)과 AMD ‘MI450’에 핵심 메모리로 탑재될 가능성이
크다.
삼성전자는 이러한 성능을 구현하기 위해 첨단 제조 공정과 설계 기술을 적극
적용했다. HBM4의 기본 메모리 다이에는 10나노급 6세대(1c) DRAM이 사용됐으며,
칩의 제어와 연산을 담당하는 로직 다이(logic die)에는 경쟁사 대비 수 세대 앞선
4나노 공정이 적용된 것으로 알려졌다.
업계에서는 삼성전자가 HBM4 양산 및 출하 시점을 경쟁사보다 앞당길 경우, 차세대
AI 반도체 생태계에서 주도권을 확보하는 데 유리한 위치를 점할 수 있을 것으로
보고 있다.