
출처: SK하이닉스
SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’
12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다.
SK하이닉스 HBM4E는 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를
지원하며, 기존 HBM4 대비 전력 효율을 20% 이상 향상시켰다. 이를 통해 AI 학습과
추론에 필요한 대규모 데이터 처리 성능을 한층 끌어올렸다.
또한 최신 인터페이스와 설계 최적화를 적용해 데이터 전송 지연을
줄였으며, 고대역폭 환경에서도 안정적인 성능을 제공한다.
SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 12단
적층 기준 48GB 용량을 구현했다. 동시에 구조적 안정성을 높이고 열 저항을 기존
HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서의 발열 문제도 개선했다.
SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은
“파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택
AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다.