삼성전자, HBM5 최선단 2나노 GAA 공정적용…50% 성능 향상

출처: 삼성전자

 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5에 2나노(GAA) 공정을 적용해 AI 메모리 경쟁력 강화에 나선다.

구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸 인터뷰에서 "HBM5는 HBM4E보다 동작 속도를 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 "베이스 다이에 최선단 2나노 GAA 공정을 적용하고, TSV(실리콘 관통 전극) 집적도도 높일 계획"이라고 밝혔다.

베이스 다이는 GPU와 CPU 등 외부 프로세서와 HBM을 연결하는 핵심 로직 반도체다. 삼성전자는 HBM4와 HBM4E에 4나노 4세대 공정을 적용한 데 이어 HBM5에서는 2나노 공정을 도입해 성능과 전력 효율을 한층 끌어올릴 방침이다.

삼성전자는 메모리와 파운드리, 패키징을 모두 자체 수행하는 턴키 체계를 경쟁력으로 내세웠다. 설계 단계부터 각 조직이 협업해 속도와 전력, 발열, 수율을 최적화하고 양산 기간과 비용을 줄일 수 있다는 설명이다.

또 세계 최초 3나노 GAA 공정 양산에 이어 지난해 하반기 2나노 1세대 공정 양산을 시작했으며, 올해 하반기에는 성능과 수율을 개선한 2나노 2세대 공정 기반 모바일 제품 양산에 돌입할 예정이다.