삼성전자, 차세대 HBM·NAND 아키텍처 공개… AI 메모리 경쟁력 강화

출처: 삼성전자

 삼성전자가 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'FMS 2026(Future of Memory and Storage)'에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처 'zHBM'과 'zNAND-O'를 공개하며 AI 시대를 겨냥한 메모리 기술 비전을 제시했다.

삼성전자는 행사에서 AI 클라우드 서버를 형상화한 전시 부스를 마련하고 D램, NAND, 스토리지 등 약 30종의 제품과 차세대 메모리 솔루션을 선보였다.

가장 주목받은 기술은 차세대 HBM 구조인 zHBM이다. 기존 HBM이 AI 가속기 옆에 배치되는 방식이었다면, zHBM은 AI 가속기 상단에 메모리를 수직 적층하는 구조를 적용했다. 이를 통해 데이터 이동 거리를 최소화해 대역폭과 전력 효율을 높일 수 있다.

삼성전자에 따르면 zHBM 기반 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능과 최대 3배 향상된 전력 효율을 제공하며, 열 저항도 절반 이상 낮췄다. 또한 고객 요구에 맞춰 메모리 용량과 AI 가속기 성능을 최적화할 수 있는 맞춤형 설계도 지원한다.

함께 공개된 zNAND-O는 온디바이스 AI 환경에 특화된 차세대 NAND 솔루션이다. TSV 기술을 활용해 여러 개의 NAND 칩을 수직으로 쌓은 구조로, 높은 데이터 처리 속도와 공간 효율성을 갖춘 것이 특징이다.

삼성전자는 이와 함께 업계 최초로 400단 이상의 초고적층 구조를 적용한 10세대 V-NAND 'V10 BV-NAND'도 공개했다. 웨이퍼 본딩과 3-스택 기술을 통해 집적도를 이전 세대보다 약 58% 향상시켰으며, 읽기·쓰기 성능과 전력 효율도 개선했다.

행사에서는 HBM4E와 HBM5, LPDDR5X-PIM, 기업용 SSD인 PM1763·BM1773 등 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 환경을 겨냥한 차세대 메모리·스토리지 제품군도 함께 전시됐다.

삼성전자는 "메모리와 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 '원스톱 솔루션' 역량을 바탕으로 AI 반도체 시장 경쟁력을 강화하고, 차세대 AI 인프라 구축을 위한 기술 개발을 지속할 계획"이라고 밝혔다.