
출처: 삼성전자
삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4의 생산
수율을 약 80%까지 끌어올린 것으로 알려졌다.
10일(현지시간) 복수의 외신은 국내 보고서를 인용해 삼성전자의
HBM4 수율이 양산 시작 6개월 만에 크게 개선됐다고 보도했다. 지난 2월 양산 당시
60%에 못 미쳤던 수율은 최근 80% 수준까지 상승한 것으로 전해졌다.
당초 삼성전자는 올해 말까지 수율 80% 달성을 목표로 했지만,
공정 개선이 예상보다 빠르게 진행된 셈이다. 반도체 업계에서 80%는 '황금 수율'로
평가되며, 양품 비중이 높아지면서 불량과 폐기량을 줄이고 생산 비용을 낮출 수
있다.
수율 개선에는 HBM4의 핵심 공정인 열압축 비전도성 필름(TC-NCF)
기술 향상과 1c DRAM 수율 안정화가 주요 요인으로 꼽힌다. HBM4는 10나노급 1c DRAM과
4나노 기반 로직 다이를 결합하는 구조로, 삼성전자는 메모리·파운드리·첨단
패키징 역량을 활용해 생산 효율을 높이고 있다.
수율이 안정화되면서 HBM4 생산 확대에도 속도가 붙을 전망이다.
삼성전자는 3분기 HBM4 매출을 크게 늘리고, 올해 하반기 HBM 판매에서 HBM4 비중을
60% 이상으로 확대할 계획인 것으로 전해졌다.
HBM4 수율 개선은 삼성전자가 AI 메모리 시장에서 경쟁력을 회복하는
데도 중요한 요소로 평가된다. 삼성전자는 HBM4에 이어 2027년 상반기 출시를 목표로
차세대 HBM4E의 샘플링과 신뢰성 테스트도 진행 중인 것으로 알려졌다.