미국 캘리포니아 몬터레이에서 진행되는 SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 차세대 극자외선 공정(SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography) 컨퍼런스에서 인텔 파운드리와 ASML은 하이 NA(High Numerical Aperture, 고개구율) 극자외선(EUV) 리소그래피 기술의 양산 적용 및 향후 도입을 이끌 주요 기술의 진전 상황을 공개했다.
양사가 공유한 주요 업데이트 내용은 다음과 같다.
하이 NA 기술은 현재 인텔 파운드리의 대량 양산 공정에 지속적으로 적용 중으로, 초기 장비 인증 및 테스트, R&D 분야는 물론, 코드명 '팬서 레이크(Panther Lake)'인 인텔® 코어™ Ultra 시리즈 3 프로세서의 일부 레이어 양산을 포함해 현재까지 100만 장 이상의 웨이퍼 공정에 적용됐다. 오버레이(중첩 정밀도), 스루풋(처리량) 및 가동률 모두 인텔 파운드리의 기대치를 충족하고 있다.
인텔 18A 공정의 일부 레이어에 하이 NA를 적용해 제조된 제품들은 기존 NXE 플랫폼(NA 0.33 사양의 EUV)으로 패턴을 형성한 동일 레이어와 비교했을 때 상회하거나 대등한 수준의 성능을 지속적으로 보이고 있다.
고객은 6인치 마스크 내에서 층별 배치(floor-planning)를 계획하거나, 인텔 파운드리의 스티칭(stitching) 기능 및 공정 설계 키트(PDK) 솔루션을 활용하여 기존 업계 마스크 규격 그대로 하이 NA의 이점을 누릴 수 있다.
인텔 파운드리는 지난 3년 이상 마스크 생태계를 통합하기 위한 대형 마스크 포맷 이니셔티브를 주도해 왔다. ASML, 마스크 제조사, 자동화 공급업체, EA 파트너, 소재 공급업체 등과 긴밀히 협력하여 향후 하이 NA 확장에 필요한 표준, 인프라 및 기술 발전을 지원하고 있다.
인텔 파운드리와 ASML은 수년간의 협력을 바탕으로 대규모 마스크를 중심의 리소그래피 생태계를 결집하고, 향후 하이 NA 극자외선 확장에 필요한 표준, 인프라 및 기술 발전을 추진하고 있다. 양사는 마스크 제조사, 자동화 공급업체, EDA 파트너, 소재 공급업체 및 반도체 제조업체와 함께 대형 마스크 포맷으로 가는 업계의 로드맵을 구축하는 동시에 고객들이 즉각적으로 하이 NA 극자외선의 혜택을 누릴 수 있도록 지원하고 있다.
SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 극자외선 리소그래피 발표 일정
이번 주 SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 극자외선 리소그래피 컨퍼런스에서 인텔 파운드리와 ASML은 설계자가 현재의 표준 6인치 마스크로 하이 NA EUV를 사용할 수 있게 해주는 '레티클 스티칭(reticle stitching)' 기술에 대한 최신 정보를 공유할 예정이다. 또한 ASML의 얀 반 슈트(Jan van Schoot)가 9월 8일 화요일 오전 11시(태평양 표준시 기준)에 "하프 필드 스티칭을 지원하기 위한 스캐너 및 마스크 요구사항"을 발표하며, 이어 11시 20분 같은 세션에서 인텔 파운드리의 킴벌리 피어스(Kimberly Pierce)가 "하이 NA: 양산을 위한 스티칭”을 발표할 예정이다.
[기획] 패스 트레이싱과 DLSS 4.5로 돌아온 '컨트롤 레조넌트'
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