소니의 가정용 콘솔 게임기, 플레이스테이션3에 탑재되고 있는 Cell Broadband Engine(Cell/B.E)의
45nm 공정 버전이 ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)에서 발표됐다.
지난해 이미 65nm Cell/B.E를 발표했던 IBM이 1년만에 공개한 45nm Cell/B.E는 45nm high-k
공정으로 제조되며 기존 세대보다 소비전력은 40%, 크기는 약 34%가 줄어든 것으로
발표됐다.

45nm Cell/B.E의 가장 큰 특징인 소비전력은 65nm Cell/B.E와 비교하면 최대 42%
정도 개선된것이지만 아직까지 플레이스테이션3에 탑재되고 있는 초기 90nm Cell/B.E와
비교하면 무려 60%가 개선된 것이다. 이렇게 소비전력이 개선될수 있었던 가장 큰
이유는 사용 전압의 차이 때문인데 90nm Cell/B.E가 5.2GHz 동작하기 위해 필요한
전압은 1.3V였지만 45nm Cell/B.E는 1.15V만으로 6Ghz 동작이 가능한 것으로 소개됐다.
Cell/B.E의 공정 개선과 그로인한 개선된 소비전력과 저발열은 기존 플레이스테이션3보다
더욱 조용해지거나 크기가 축소된 슬림 형태의 플레이스테이션3를 가능하게 만들
수 있을 것으로 추측되고 있다. 플레이스테이션2의 슬림버전이 등장한것도 같은 이치지만
아직까지 45nm Cell/B.E의 양산 일정이나 소니의 새로운 버전 발표 정보는 전해지지
않고 있는 상태다.