20일 SK하이닉스가 업계 최초 ‘HBM3’ D램을 개발했다고 밝혔다.
SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2 D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에
HBM3 개발에 성공했다.
HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로 여러 개의 D램을 수직으로
연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으...
12일 삼성전자가 극자외선(EUV) 장비를 적용한 14나노(1나노=10억
분의 1미터) D램 양산을 발표했다. EUV 장비로 양산된 이 제품은 이전 세대보다 생산성과
소비전력이 20% 개선된 것이 특징이다.
삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용한다.
DDR5는 최고 7.2기가비피에스(Gbps...
내년 차세대 D램 DDR5 공급가격이 이전 세대인 DDR4보다 30%
이상 상승할 것이라는 전망이 나왔다.
2일(현지시간) 외신에 따르면 시장조사기관 트렌드포스는 최신
보고서를 통해 " 2022년에는 DDR5가 DDR4보다 30% 이상 높은 가격에 공급될
것"이라고 밝혔다.
DDR5 메모리는 내년부터...
SK하이닉스가 극자외선 공정을 활용한 10나노급 4세대(1a)
D램 양산에 돌입했다.
12일 SK하이닉스는 10나노급 4세대 미세공정을 적용한 8Gbit
LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초부터 착수했다고 밝혔다.
이번에 양산에 돌입한 10나노급 4세대 D램은 SK하이닉스 D램
중 처음으로 EUV(극...
SK하이닉스가 최근 자사 D램 제품에서 대규모 품질 이슈가
발생했다는 루머에 대해 “사실이 아니다”고 해명했다.
8일 관련 업계에 따르면 전날인 7일 오후부터 증권가 등에 SK하이닉스
반도체 제품에서 품질 이슈가 발생해 대규모 손실이 예상된다는 루머가 확산됐다.
일부 고객사에서 제품 품질에 대한 문제 제기가 이...
18일 삼성전자가 최신 DDR5 D램 모듈의 성능을 극대화하고
전력 사용을 최소화하는 전력관리반도체(PMIC, Power Management IC) 3종을 공개했다.
이번에 공개된 삼성전자 전력관리반도체는 ▲S2FPD01 ▲S2FPD02
▲S2FPC01 등 3종이다. 전력관리반도체를 외부 기판에 탑재하던 DDR4...
11일 삼성전자가 업계 최초 차세대 인터페이스 ‘컴퓨트 익스프레스
링크(Compute Express Link, 이하 CXL)’ 기반의 D램 메모리 기술을 개발했다고 밝혔다.
CXL은 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기,
메모리, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위해 새롭게 제안된 인터페이스다.
...
메모리반도체 가격이 급등하고 있다.
30일 대만의 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 이달들어 PC용
D램(DDR4 8Gb) 고정거래가격은 지난달보다 26.67％ 오른 3.8달러로 집계됐다. '반도체
슈퍼사이클'이 있었던 2017년 1월 이후 가장 높은 상승 폭이다.
또한, 최근 6개월간 4.2달러에 정체돼 있던 메모리카드&...
8일 SK하이닉스가 업계 최대 용량인 18GB(기가바이트) LPDDR5
모바일 D램을 양산한다고 발표했다.
이번에 양산하는 제품은 기존 스마트폰에 탑재된 모바일 D램(LPDDR5,
5500Mb/s)보다 약 20% 빨라진 6400Mb/s 속도로 동작한다. 6400Mb/s는 FHD(Full-HD)급
영화(5GB) 10편을 ...
SK하이닉스가 국내외에 보유한 생산 시설 중 최대 규모인 이천
‘M16 팹’이 준공됐다.
1일 SK하이닉스는 경기도 이천캠퍼스 본사에서 M16 공장 준공식을
개최하고 본격적인 파일럿 테스트(사용 전 점검)에 돌입한다고 밝혔다.
D램 제품을 주로 생산하게 될 M16은 축구장 8개에 해당하는 5만
7000㎡(1만 7000...
미국 반도체 제조사 마이크론의 대만공장이 정전으로 1시간 가량
가동이 중단됐다.
반도체 업계에 따르면 3일 오후 3시경 마이크론의 대만 MTTW
공장에서 정전이 발생했다.
일반적으로 반도체 생산 공장에서 전력 공급이 끊기면 생산 라인을
복구하기까지 길게는 수개월이 소요된다. 생산 중이던 모든 DRAM 웨이퍼를 첫 공...
6일 SK하이닉스가 세계 최초로 DDR5 D램을 출시한다고 밝혔다.
DDR5는 차세대 D램 규격으로 빅데이터, 인공지능, 머신러닝 등에
최적화된 초고속·고용량 제품으로 전송 속도는 이전 세대인 DDR4의 3,200Mbps
대비 4,800Mbps ~ 5,600Mbps로 최대 1.8배 빨라졌다.
5,600...
2일 SK하이닉스가 초고속 D램인 ‘HBM2E’의 본격 양산을 발표했다.
지난해 8월 HBM2E 개발 이후 10개월만이다.
SK하이닉스의 HBM2E는 초당 3.6 기가비트(Gbps)의 데이터 처리가
가능한 제품으로, 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460기가바이트(GB)의
데이터를 처리할 수 있다.
...
25일 삼성전자가 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다고
발표했다. 메모리 업계에서 차세대 D램 제품부터 ‘EUV 공정’을 전면 적용한 것은
삼성전자가 처음이다.
EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티
패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 되어...
25일 삼성전자가 역대 최고 속도·최대 용량을 구현한
‘16GB LPDDR5 모바일 D램’을 세계 최초 양산한다고 밝혔다. 작년 7월 12GB LPDDR5
모바일 D램을 세계 최초로 출시한 데 이어 5개월 만이다.
갤럭시S20 시리즈 최상위 울트라 모델(512GB)에 장착된 16GB
모바일 D램 패키지는 2...
